첨단 재료의 12인치화를 담당하는 마이폭스의 CMP 연마 체제
소개
2026년 3월, 마이폭스는 12인치(300mm) 웨이퍼에 대응하는 CMP 가공 라인을 구축하고 본격 가동을 시작했습니다.
AI·디지털 사회의 급속한 발전과 차세대 모빌리티 보급을 배경으로, 반도체 디바이스의 고성능화와 제조 효율 향상에 대한 요구가 해마다 커지고 있습니다. 이러한 시장 요구에 부응하기 위해 마이포크스는 초정밀 연마 기술을 기반으로 한 12인치 CMP 분야에 본격적으로 진출했습니다. 또한 현재는 ‘접합(본딩) 공정’ 설비 확대도 병행하여 추진하고 있으며, 연마부터 접합까지 일관되게 담당하는 ‘토탈 펀드리 서비스’ 구축을 목표로 하고 있습니다.
본 기사에서는 마이폭스의 CMP 가공 라인이 보유한 독자적인 강점과 차세대 반도체 제조에 가져올 비즈니스 이점에 대해 자세히 설명합니다.
목차
CMP란? 나노 수준의 평탄화를 구현하는 필수 기술
12인치화와 3차원 구현이 제시하는 ‘평탄화’ 과제
마이포크스만의 강점: ‘칠하기·자르기·연마’ 기술의 융합
향후 전망: 접합 공정 확대와 3차원 실장에 기여
정리
CMP란? 나노 수준의 평탄화를 구현하는 필수 기술
CMP(Chemical Mechanical Planarization: 화학 기계 평탄화)란, 연마액(슬러리)과 패드에 의한 화학적·기계적 작용을 결합하여 웨이퍼 표면을 극한까지 평탄하게 만드는 연마 가공 기술을 말합니다.
기존 연마 기술로는 어려웠던 이종 재료가 혼합된 표면의 평탄화와 나노 수준의 정밀도 관리를 가능하게 합니다.
첨단 로직 반도체부터 차세대 파워 반도체까지, CMP 기술은 모든 고성능 디바이스의 제조 공정을 지원하는 핵심 기술로 자리매김하고 있습니다.
12인치화와 3차원 구현이 제시하는 ‘평탄화’ 과제
AI와 차세대 모빌리티의 보급으로 반도체는 더욱 소형화와 고속화가 요구되고 있습니다. 그 해결책으로 주목받는 것이 ‘3차원 구현(TSV 등)’인데, 여기서는 기존 프로세스를 능가하는 평탄도가 요구됩니다.
1. 접합 오류 위험
표면에 약간의 요철만 있어도 칩 적층 시 접합 강도가 부족해 수율이 크게 떨어집니다.
2. 대구경화 난이도
12인치로 대구경화함에 따라 웨이퍼 외주부까지 균일하게 연마하는 제어 기술이 필수적입니다.
마이폭스 독자적인 우위: ‘코팅·슬리팅·연마’ 기술의 융합
마이폭스의 가장 큰 특징은 ‘코팅’, ‘슬리팅, ‘연마’라는 세 가지 핵심 기술을 고도로 융합한 점에 있습니다. ‘연마재(제제) 개발·제조’, ‘기능성 도포’, ‘정밀 연마 가공’ 3개 사업을 전개하는 제조업계 펀들로서, 타사와 차별화된 부가가치를 제공합니다.
1. 자체 개발 슬러리를 통한 최적 프로세스
연마재 제조업체로서의 노하우를 살려, 특정 소재와 목표 정밀도에 최적화된 슬러리를 자체 개발. 고도의 평탄도와 저손상을 동시에 구현하는 것을 독자적인 CMP 공정으로 실현합니다.
2. 다양한 첨단 소재 대응
Cu(구리) 다마신 프로젝트를 시작으로, 접합용 표면 거칠기 개선, 각종 기능성 소재를 활용한 웨이퍼 제조 프로젝트 등, 매우 높은 수준의 평탄화 기술이 필요한 다양한 공정에 폭넓게 대응합니다.
3.12인치 SiC 웨이퍼 수탁 연마 시작
차세대 파워 반도체로 주목받는 SiC(탄화규소)는 EV·전력 인프라 분야에서 수요가 확대됨에 따라 12인치 대구경화가 급속히 진행되고 있습니다. 마이폭스는 8인치 SiC 웨이퍼에서 쌓은 독자적인 연마 가공 실적을 바탕으로 12인치 SiC 웨이퍼의 수탁 연마를 시작했습니다. 합리적인 제조 솔루션을 제공합니다.
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품목
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마이폭스 12인치 CMP
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일반적인 수탁 가공
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프로세스 최적화
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자체 개발 맞춤 슬러리 로 재료별 최적화
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범용 슬러리로 표준 가공
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대응 소재
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SiC·Cu 등 각종 첨단 재료
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실리콘이 메인
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일관 체제
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연마 ➔ 접합(본딩) 까지 일관 대응에
(2027년 3월기 중에 확립 예정)
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연마만(공정간 수송 필요)
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향후 전망: 접합 공정 확대와 3차원 실장에 기여
마이폭스는 현재 CMP 공정의 다음 단계로 12인치 대응 접합(본딩) 체계 구축을 추진하고 있습니다.
· 체제 확립 예정: 2027년 3월 회계연도 중
연마부터 접합까지 일관된 체계로 TSV(실리콘 관통 전극)를 활용한 차세대 3차원 실장에 대응할 수 있게 합니다. 이 일관된 체계가 확립되면, 공정 간 운송으로 인한 오염·손상 위험을 없애고 물류 비용과 관리 인력을 크게 절감할 수 있습니다.
요약
마이폭스는 12인치 대응 CMP 라인의 본격 가동을 통해 최첨단 반도체 제조 기술 기반을 더욱 강화했습니다. ‘칠하기·절단·연마’라는 핵심 기술을 융합해 단순 수탁 가공을 넘어선 토탈 파운드리로서, SiC·Cu 대응부터 향후 접합 공정까지 고객의 혁신을 일관되게 지원합니다.
📖 용어 해설
CMP(화학기계 평탄화): 연마액에 의한 화학적 작용과 물리적 연마를 결합해 표면을 나노 수준으로 평탄화하는 기술.
TSV(실리콘 관통 전극): 실리콘 웨이퍼를 수직으로 관통하는 전극. 칩 간 고속 전송·전력 절감·소형화를 구현하는 3차원 실장 핵심 기술.
SiC(탄화규소): EV·전력 인프라용 차세대 파워 반도체 소재. 고내압·저손실이 특징이며, 12인치 대구경화가 진행되고 있다.
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